IGBT модуль BSM100GB120DN2

Представляем вашему вниманию IGBT-модуль BSM100GB120DN2 — надёжный силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для использования в промышленной электронике.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT полумост (Half-Bridge)

• Номинальный ток коллектора (I_Cnom): 100 А

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В при 25 °C

• Максимальная температура перехода (T_j): до 150 °C

• Корпус: 62 мм стандартный модуль

• Габариты (Д×Ш×В): 106,4×61,4×30 мм

• Вес: 420 г

• Изоляция: медное основание с изоляцией, выполненное по технологии DBC (Direct Bonded Copper)

Особенности и преимущества:

• Технология IGBT 2-го поколения: обеспечивает высокую скорость переключения и низкие потери.

• Интегрированные свободноходовые диоды: обеспечивают защиту от перенапряжений и улучшают работу при обратных токах.

• Мягкое переключение: снижает уровень электромагнитных помех.

• Высокая способность к циклированию мощности: повышает срок службы модуля в условиях переменных нагрузок.

• Подходит для высокочастотных приложений: частота коммутации до 20 кГц.

Типовые области применения:

• Инверторы переменного тока

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• Электросварочное оборудование

• Системы привода с переменной частотой

Заказ и доставка:

Мы предлагаем IGBT-модули BSM100GB120DN2. Гарантируем высокое качество продукции и предоставляем техническую поддержку по вопросам интеграции и эксплуатации.

Для оформления заказа или получения консультации свяжитесь с нами по телефону или через форму обратной связи на сайте.

Силовой модуль IGBT (полумост, включая быстродействующие безынерционные диоды, пакет с изолированной металлической базовой платой).

Вес: 420 гр.

Техническая информация в .pdf

Принципиальная электрическая схема.

Размер: